大家好！今天让小编来大家介绍下关于euv光刻前的最后疯狂：ddr5内存狂飙 单条1tb不是梦的问题，以下是酷知号的小编对此问题的归纳整理，让我们一起来看看吧。
快科技7月27日消息，随着制程工艺的进步，dram内存芯片也面临着cpu/gpu一样的微缩难题，解决办法就是上euv光刻机，但是设备实在太贵，现在还要榨干duv工艺最后一滴，ddr5内存有望实现单条1tb。
作为第一家推出24gb核心ddr5的内存公司，美光日前又创造了一个新纪录——推出了32gb核心的ddr5内存颗粒，使用的是比前者1α工艺更先进的1β工艺，这也是美光最后的非euv工艺了，再往后不想上euv也没招了。
美光没有透露32gb核心内存颗粒的具体速度，但是这种内存最大的优势就是可以堆栈出单条1tb的内存条，只需要32个8-hi堆栈即可，现在的24gb核心还做不到这么大容量。
当然，美光实际上并不会推出这么大的内存条，明年量产32gb核心之后，首先是单条128gb，还有192gb、256gb，而512gb、1tb的还不在路线图上，2026年前都没戏。
另外，在hbm这条路线上，美光刚推出了hbm3 gen2（这都什么命名方式，跟骁龙学的），做到了24gb容量，带宽1.2tb/s。
后续还有36gb容量的，2026年之后则是下一代hbm（hbm4？），容量36gb到64gb，带宽1.5到2tb/s以上了。
显存gddr路线上，2025年会推出gddr7，频率32gbps，核心容量16-24gb，带宽128gb/s以上。
以上就是小编对于euv光刻前的最后疯狂：ddr5内存狂飙 单条1tb不是梦问题和相关问题的解答了，euv光刻前的最后疯狂：ddr5内存狂飙 单条1tb不是梦的问题希望对你有用！
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